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ortho-Phosphorsäure

85 %, VLSI Grade
Wirkungsbeispiele: Zerstören Metalle und verätzen Körpergewebe; schwere Augenschäden sind möglich. Sicherheit: Kontakt vermeiden; Schutzbrille und Handschuhe tragen. Bei Kontakt Augen und Haut mit Wasser spülen.
Wirkungsbeispiele: Führen zu gesundheitlichen Schäden, reizen Augen, Haut oder Atemwegsorgane. Führen in größeren Mengen zum Tode. Sicherheit: Wie oben; bei Hautreizungen oder Augenkontakt mit Wasser oder geeignetem Mittel spülen.
Gefahr
H290-H302-H314
i kann gegenüber Metallen korrosiv sein, gesundheitsschädlich bei Verschlucken, verursacht schwere Verätzungen der Haut und schwere Augenschäden
P280 P301+P330+P331 P303+P361+P353 P305+P351+P338 P310
i Schutzhandschuhe/Schutzkleidung/Augenschutz/Gesichtsschutz tragen, BEI VERSCHLUCKEN: Mund ausspülen. KEIN Erbrechen herbeiführen, BEI BERÜHRUNG MIT DER HAUT (oder dem Haar): Alle kontaminierten Kleidungsstücke sofort ausziehen. Haut mit Wasser abwaschen [oder duschen], BEI KONTAKT MIT DEN AUGEN: Einige Minuten lang behutsam mit Wasser spülen. Eventuell vorhandene Kontaktlinsen nach Möglichkeit entfernen. Weiter spülen, sofort GIFTINFORMATIONSZENTRUM/Arzt anrufen
Verwandte Produkte
VE
Verp.
Orthophosphorsäure
Summenformel H3PO4
Molare Masse (M) 98,00 g/mol
Dichte (D) 1,71 g/cm³
Siedepunkt (Sdp) 158 °C
Schmelzpunkt (F) 21 °C
ADR 8 III
WGK 1
CAS Nr. 7664-38-2
EG-Nr. 231-633-2
UN-Nr. 1805

Halbleiterqualität

169,00 €/VE 

zzgl. MwSt. | 2,5 l pro VE

Best.-Nr. 9788.1

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ortho-Phosphorsäure
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Bestell Nr. VE Verp. Preis Menge
9788.1 2,5 l Kunst.

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Allgemeine Informationen

Produkte in VLSI-Qualität

Mit der VLSI (Very Large Scale Integration) Produktlinie bietet Carl ROTH Lösungsmittel und Säuren zur Reinigung und zum Ätzen von Wafern für die Halbleiter-Industrie. Beide Vorgänge sind essentiell bei der Chipherstellung. Bei Carl ROTH finden Sie dazu ausgewählte Produkte.

Eigenschaften:

  • Hohe Reinheit
  • Spurenmetallgehalt meist unter 100 ppb
  • Partikelfiltriert, maximal 250 Partikel/ml


VLSI oder Very Large Scale Integration bedeutet, dass eine große Anzahl Transistoren (inzwischen mehrere 100 Mio.) auf einem Chip Platz finden. Da die Zwischenräume sehr klein sind, etwa 3 μm, müssen auch die Lösungsmittel und Säuren eine entsprechend hohe Reinheit haben und partikelfiltriert sein. Für VLSI ist die Anzahl der Partikel auf 250 p/ml begrenzt.


Reinheitsgrade für Halbleiterherstellung und Forschung

Für die Halbleiterindustrie bzw. Forschung und Entwicklung auf diesem Gebiet, gibt es unterschiedliche Reinheitsgrade:
VLSI
very large scale integration
Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 50-100 ppb, Partikelkonzentration <250/ml
ULSI
ultra large scale integration
Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 10-50 ppb, Partikelkonzentration <100/ml
SLSI
super large scale integration
Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 1-10 ppb, Partikelkonzentration <30-100/ml


Analysenzertifikate

Hier können Sie Ihr Analysezertifikat zum ausgewählten Produkt suchen und downloaden. Bitte geben Sie Ihre Chargennummer an.
Es wurden die folgenden Analysezertifikate gefunden:

Garantieanalyse

Gehalt85-87 %
Partikelmenge (≥0,5 µm)≤250 p/ml
Farbe (APHA)≤10
Chlorid (Cl)≤0,0001 %
Fluorid (F)≤0,0005 %
Nitrat (NO3)≤0,0001 %
Sulfat (SO4)≤0,0005 %
Unlösliche Anteile≤0,001 %
KMnO4 reduzierende Anteileentspricht
Aluminium (Al)≤200 ppb
Antimon (Sb)≤2000 ppb
Arsen (As)≤200 ppb
Blei (Pb)≤100 ppb
Cadmium (Cd)≤200 ppb
Calcium (Ca)≤300 ppb
Chrom (Cr)≤100 ppb
Eisen (Fe)≤1000 ppb
Kalium (K)≤200 ppb
Cobalt (Co)≤300 ppb
Kupfer (Cu)≤100 ppb
Lithium (Li)≤50 ppb
Magnesium (Mg)≤100 ppb
Mangan (Mn)≤50 ppb
Natrium (Na)≤1000 ppb
Nickel (Ni)≤200 ppb
Strontium (Sr)≤200 ppb
Zink (Zn)≤1000 ppb